InP/InGaAs HBT頻率特性分析

InP/InGaAs HBT頻率特性分析

全部作者： 馬曉暉 黃永清 吳強(qiáng) 第1作者單位： 北京郵電大學(xué)光通信與光波技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 論文摘要： 頻響特性是HBT設(shè)計(jì)中應(yīng)首先考慮的因素,而 ， 則是HBT最主要的頻率性能指標(biāo)，本文基于InP/InGaAs HBT器件的物理結(jié)構(gòu)構(gòu)建了小信號(hào)等效電路模型。對(duì)該模型進(jìn)行了理論分析和數(shù)值推導(dǎo)，借助PSpice和Matlab對(duì)該等效電路模型的頻響特性進(jìn)行了詳細(xì)的仿真分析，得出了影響 ， 的主要因素，同時(shí)比較了PSpice和Matlab兩種軟件的優(yōu)劣，對(duì)InP/InGaAs HBT設(shè)計(jì)制作和性能優(yōu)化具有1定的指導(dǎo)作用。 關(guān)鍵詞： HBT，小信號(hào)電路模型，電流增益 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月30日 同行評(píng)議：

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