射頻反應磁控濺射制備VOx薄膜

射頻反應磁控濺射制備VOx薄膜

全部作者： 李建峰 吳志明 王濤 魏雄邦 黎威志 第1作者單位： 電子科技大學光電信息學院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室 論文摘要： 本文采用射頻反應濺射法制備了VOx薄膜,重點研究了氧分壓對薄膜電學性能的影響，在低真空中330 ℃低溫退火得到了高性能的VOx 薄膜，制得了具有電阻溫度系數較高（-3.97%）和方阻較小的VOx薄膜, 并采用X光電子能譜分析儀XPS 對薄膜的結構及成分進行了分析，經分析計算得到其化學計量式為VO1.9。 關鍵詞： VOx薄膜；射頻反應濺射；電阻溫度系數 (瀏覽全文) 發表日期： 2008年04月11日 同行評議：

該文研究了濺射條件主要是氧分壓對VOX薄膜電學性能的影響，雖然取得了1些有意義的結果，但總得來說不具有創新性。在論文寫作中，有1些基本的錯誤，比如：（1）XPS不能用來分析材料的結構，但在摘要中作者聲稱用XPS分析了薄膜的結構。（2）在第2頁中，有1段這樣的描述：在氧分壓0.3％,......,金屬釩沒有產生反應......。首先，“金屬釩沒有發生反應”這個說法不清楚，應該指出金屬釩與什么沒有發生反應；其次，從本質上說，金屬釩不可能沒有被氧化，只是氧化的程度較輕而已。 （3）在圖1中的升降溫度曲線的'表示方面，不夠清楚。橫坐標的溫度都是從小到大，如何讓讀者辯明是升降溫曲線？（4）在第3頁中，作者描述XPS的分析室真空優于220－7Pa，評審人認為這不可能，希望這是1個筆誤。 此外，論文寫作用語不夠規范，有多處語法不通。比如：第2頁中的“由于靶表面只是吸附...”等等,不1而足。

綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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