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奇碼數字信息有限公司筆試題
1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區,截至區,線性區,擊穿區和C-V曲線)2.2.2um工藝下,Kn=3Kp,設計一個反相器,說出器件尺寸。
3.說出制作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5.用CMOS畫一個D觸發器(clk,d,q,q-)。
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